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一种电容器及其形成方法,其中,形成方法包括:提供衬底;刻蚀所述衬底,形成包括有源区的基底以及位于有源区上的若干分立的有源部;在所述有源部侧壁表面和基底表面形成第一绝缘层;在各所述有源部两侧侧壁形成第一极板,所述第一极板位于第一绝缘层表面,所...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种电容器及其形成方法,其中,形成方法包括:提供衬底;刻蚀所述衬底,形成包括有源区的基底以及位于有源区上的若干分立的有源部;在所述有源部侧壁表面和基底表面形成第一绝缘层;在各所述有源部两侧侧壁形成第一极板,所述第一极板位于第一绝缘层表面,所...