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用于验证非易失性存储装置的编程的方法制造方法及图纸
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下载用于验证非易失性存储装置的编程的方法的技术资料
文档序号:4352082
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在预充电位线之后,将第一验证电压施加到所选择的存储单元的字线,以编程验证非易失性存储装置中的存储单元。执行用于改变该位线的电压的第一读取评估操作。使用第一感测电压来感测该第一读取评估操作的结果。再次执行用于改变该位线的电压的第二读取评估操作...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。
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