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本发明公开了一种透明氮化镓HEMT中欧姆接触电极的制备方法，其方法包括：在透明氮化镓晶圆材料上光刻源漏欧姆接触区域，对源漏区域进行欧姆凹槽刻蚀，淀积常规不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明的欧姆金属与沟道层氮化镓材料反应，产生大量氮空位，形...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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