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提供用于化学机械研磨(CMP)的方法及用于形成半导体装置的互连结构的方法。方法包括以下步骤：利用CMP浆料在介电结构的表面上执行CMP，以移除形成在该介电结构中且具有由该表面曝露的至少第一层的金属层的一部分。在一些实例中，该CMP浆料包括磨...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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