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一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备。该三维半导体器件包括具有阵列区域和接触区域的衬底，交替布置的第一导电层和隔离层的堆叠层，第二导电层，第一可相变层，第二可相变层，以及第一接触插塞。堆叠层位于衬底上，且从阵列区域延伸至接触区域并在接触...
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