温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：包括第一半导体材料的下部半导体纳米结构；邻近下部半导体纳米结构的下部外延源极/漏极区，下部外延源极/漏极区具有第一导电类型；包括第二半导体材料的上部半导体纳米结构，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。