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本发明公开了一种存储单元读写控制方法、提升存储器稳定性方法及其装置，涉及存储器领域，存储单元的读写控制方法包括在写入操作之前将所述存储单元中电容的第一极板设置为第一电平；所述第一电平与读取操作后的所述电容的第二极板的第二电平状态相同。本发明...
该专利属于温州核芯智存科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过温州核芯智存科技有限公司授权不得商用。

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