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公开了一种双向功率器件及其制造方法，双向功率器件包括半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的分压介质层；其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请通过在控制...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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