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本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括：形成一隔离结构在一半导体基底中；凹陷该半导体基底以形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口与该第二开口位在该隔离结构的相对两侧，且该第二开口的一宽度大于该第一开口的一宽度；形成一电...
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