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集成电路结构及其制造方法技术
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文档序号:43253094
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本公开提供了一种集成电路结构及其制造方法,该集成电路结构包括衬底、第一存储器字串、源线以及第二存储器字串。第一存储器字串位于衬底上方,且包含在垂直方向上堆叠的多个第一存储单元。源线横向地延伸于第一存储器字串上方。第二存储器字串位于源线上方,...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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