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本发明公开了一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列及其制备方法，该阵列包括若干纵向分布的第一纳米柱结构；相邻第一纳米柱结构之间填充有绝缘介质；每个第一纳米柱结构：包括第一势垒层的第一N型外延结构；位于第一N型外延结构上方的包括第二沟道层的第一...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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