温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种降低铜基硅通孔热应力的填充方法，其包括S1：制作掩膜层和在基底材料表面制作出孔；S2：在孔内依次沉积绝缘层和阻挡层；S3：在阻挡层上溅射负膨胀系数材料作为缓冲层；S4：在缓冲层上沉积铜种子层，再通...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。