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中国科学院半导体研究所
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疏水性宽带减反射涂层的制备方法技术
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文档序号:43209036
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本公开提出了一种疏水性宽带减反射涂层的制备方法,包括:将基底放置于带有加热装置的沉积腔室中;基于引发式化学气相沉积技术,向沉积腔室中通入包括引发剂、第一单体和第二单体的第一气体组,引发剂受热分解产生的自由基与第一单体和第二单体在沉积腔室中扩...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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