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本发明公开了一种快速查找QFP封装芯片微安级过电应力损伤点的方法,该方法首先将芯片背面进行研磨,露出所述绑定线和衬底层后进行漏电定位锁定漏电区域,解决了业内QFP封装芯片正面扎针可能损害晶圆的缺陷,同时也解决了金属层遮挡导致的漏电定位困难问...该专利属于深圳长城开发科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳长城开发科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种快速查找QFP封装芯片微安级过电应力损伤点的方法,该方法首先将芯片背面进行研磨,露出所述绑定线和衬底层后进行漏电定位锁定漏电区域,解决了业内QFP封装芯片正面扎针可能损害晶圆的缺陷,同时也解决了金属层遮挡导致的漏电定位困难问...