温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，先根据预设电源电压预设第一栅介质层的厚度和第二栅介质层的厚度；然后，根据预设的第一栅介质层厚度及第二栅介质层厚度，在衬底上依次形成第一栅介质层和第二栅介质层。第二栅介质层的介电常数大于第一栅介质层的介电...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。