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本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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