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本发明提供一种前照式图像传感器的实现方法，包括：在栅极形成之前，刻蚀半导体衬底形成第一深沟槽，及由所述第一深沟槽间隔的半导体岛状结构；于所述第一深沟槽中形成所述图像传感器像素单元之间的隔离结构。本发明可以不受到光电二极管深度的限制实现深层纵...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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