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本发明提供一种逆导型IGBT器件及其制备方法，该逆导型IGBT器件包括半导体层、发射区、第一接触区、沟槽栅结构、阳极区、集电区、第二接触区、第三接触区、集电极及浮空电极，其中，半导体层包括缓冲区、漂移区及基区；发射区与第一接触区位于基区上表...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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