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半导体结构的制备方法技术
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文档序号:43044581
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本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括多个步骤。提供一基底,其中该基板包括多个柱体,且每一个柱体的ㄧ上表面是一大致平坦表面。在多个柱体上执行一氮化。一第一氧化层形成在与该多个柱体共形的该基底上。一第一介电层形成在多个柱体之间。暴...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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