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一种基于拓扑优化设计的抗过载压力传感器芯片，属于压力传感器技术领域。抗过载压力传感器芯片包括n型单晶硅元件和与其通过阳极键合的玻璃衬底，n型单晶硅元件的背部开设空腔，与玻璃衬底紧密贴合形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有由薄膜正面结构层和薄膜...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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