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本发明涉及无功补偿技术领域，提供了一种双控无涌流峰值过零高速投切可控硅开关的实现方法，包括步骤：S1.检测可控硅两端电压，当两端电压为零时，控制主板给触发信号让双向可控硅过零单边导通，使电容器充电到峰值；S2.当控制主板接收外部投入命令后，...
该专利属于深圳市友邦怡电气技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市友邦怡电气技术有限公司授权不得商用。

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