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本发明提供了一种静电放电保护装置。该静电放电保护装置包括P型半导体基板、P型和N型阱区、深N型阱区、第一N型和P型掺杂区、第二N型和P型掺杂区。P型和N型阱区位于P型半导体基板中。深N型阱区位于P型半导体基板中且位于P型阱区下方。第一N型和...
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