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本发明提供了一种可饱和吸收体，其包括侧面抛磨光纤以及附着在侧面抛磨光纤的抛磨区域上的碲化铪二维材料。本发明的可饱和吸收体具有成本效益好，非线性吸收率高，响应时间快，调制深度大，损耗低，以及波长范围宽的优点，这使得其可以很好地用于生成高度稳定...
该专利属于香港理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过香港理工大学授权不得商用。

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