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本发明公开了一种采用隧穿结的指叉型背接触太阳电池结构，太阳电池结构采用n型单晶硅片作为基底，n型单晶硅片正表面设置有具有减反射效果的微结构，n型单晶硅片背面为化学抛光的平面结构，n型单晶硅片背面设置有一层1～3nm的超薄氧化硅膜层作为隧穿层...
该专利属于南昌航空大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌航空大学授权不得商用。

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