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半导体元件及其制造方法技术
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文档序号:42922132
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实现能够向2DEG层良好地接触的半导体元件及其制造方法。一种半导体元件,具有:基板(10)、设置在基板上且由III族氮化物半导体构成的沟道层(12)、以及在沟道层之上与之接触设置且由Al组成比沟道层高的III族氮化物半导体构成的势垒层(13...
该专利属于丰田合成株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过丰田合成株式会社授权不得商用。
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