温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

实现能够向2DEG层良好地接触的半导体元件及其制造方法。一种半导体元件，具有：基板(10)、设置在基板上且由III族氮化物半导体构成的沟道层(12)、以及在沟道层之上与之接触设置且由Al组成比沟道层高的III族氮化物半导体构成的势垒层(13...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。