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本发明公开了一种具有陷光结构的超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法。包括：在衬底上依次沉积背电极Ｍｏ膜［１１］、Ａｇ膜［１２］，透明导电ＺｎＯ：Ａｌ薄膜［１３］、ＭｏＳｅ２薄膜［１４］、吸收层［１５］、Ｚｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）缓冲层［１６］、透明...
该专利属于上海空间电源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海空间电源研究所授权不得商用。

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