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中芯国际集成电路制造上海有限公司
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蚀刻方法及接触孔制作方法技术
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文档序号:4290893
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一种蚀刻方法及接触孔制作方法。所述蚀刻方法包括:对基底进行反应离子蚀刻,对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。所述蚀刻方法能够避免由于残留物堆积而影响最终形成的半导体器件的质量。...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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