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本发明公开了一种导电性硅碳负极材料的制备方法，采用原位形成的石墨相氮化碳同时作为纳米二氧化硅热还原为纳米硅的还原剂和载体活性炭的成孔剂，在560‑800℃下热还原氧化铟锡‑二氧化硅复合导电膜包覆的g‑C3N4‑C复合材料为导电性纳米硅碳负极...
该专利属于天津市职业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津市职业大学授权不得商用。

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