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半导体LED包括p掺杂层、n掺杂层和有源层，并且具有阳极电接触部和阴极电接触部、位于LED的侧表面上的侧向介电层和位于侧向介电层上的导电接合层。该接合层电耦接至阳极电接触部并且通过侧向介电层与有源层和n掺杂层的侧表面电绝缘。LED具有随着从...
该专利属于亮锐有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过亮锐有限责任公司授权不得商用。

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