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本发明涉及一种TBC背接触电池的制备方法，属于光伏电池制备技术领域。包括通过对完成碱抛光处理后的N型硅片背面进行LPCVD处理、硼扩散处理、第一次激光改性处理和第一次清洗，使得N型硅片背面的第二区域形成第一隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层和BS...
该专利属于晋能清洁能源科技股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过晋能清洁能源科技股份公司授权不得商用。

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