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提供了图像传感器。所述图像传感器包括：第一导电类型的半导体基底，所述半导体基底包括：第一表面、与第一表面背对的第二表面、像素区域、以及像素隔离结构；以及光电转换区域，在像素区域中，光电转换区域具有第二导电类型的杂质，其中，像素隔离结构被配置...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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