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本发明提供了一种外延反应腔室的维护方法及装置、硅片，属于半导体制造技术领域。外延反应腔室的维护方法包括：识别所述外延反应腔室制备的每一外延硅晶圆的类型；根据所述外延反应腔室制备的每一外延硅晶圆的类型确定所述外延反应腔室制备的每种类型的外延硅...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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