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本发明提供可抑制因触点与柱的接触所导致的触点形成不良的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。所述装置具备：积层体，具有交替积层的多个导电层与多个第1绝缘层且包含第1、2区域；1个以上的第1柱，在第1区域内在积层体的积层方向延伸；及第2柱...
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