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文档序号:42786257
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本技术系关于半导体结构。所述半导体结构包括第一金氧半场效晶体管;第二金氧半场效晶体管;多组第一源极金属,耦接所述第一金氧半场效晶体管的源极;多组第二源极金属,耦接所述第二金氧半场效晶体管的源极;以及漏极金属,同时耦接所述第一金氧半场效晶体管...
该专利属于达尔科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过达尔科技股份有限公司授权不得商用。
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