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本发明公开一种磷化铟半导体材料的合成工艺，属于半导体材料制备技术领域，将高纯铟与高纯磷分别置于封闭的石英管内的两端，升温使磷蒸汽与铟金属熔体反应生成磷化铟，盛铟石英舟表面形成有磷化‑氧化的铟复合薄膜，在石英管内的铟金属区和红磷区间设置石英隔...
该专利属于浙江康鹏半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江康鹏半导体有限公司授权不得商用。

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