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本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，其中半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，所述第一半导体层和所述第二半导体层构成异质结构；栅极，设置在所述第二半导体层的栅极区域上；在所述栅极区域，沿着所述栅极的延伸方...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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