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本发明涉及一种堆叠纳米片晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域，解决由于内侧墙的存在导致源漏外延生长过程中产生多个外延位错面的问题。晶体管包括：半导体衬底上方形成有源极区、漏极区、沟道结构和金属栅叠层；源极区和漏极区位于沟道结构的相对两侧；...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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