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本发明公开了一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，它包括：经装有碱化学液的化学槽腐蚀、一个清洗槽１清洗和装有去离子水的清洗槽２清洗，清洗槽１需要加温。Ｉ号清洗液由去离子水、过氧化氢和浓氨水按一定配比混合而成。Ｉ号清洗液加热的温度为５０－１００℃...该专利属于北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司授权不得商用。