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本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包含半导体层、第一～第二电极、控制电极和连接区域。半导体层包含第一～第三半导体区域。控制电极隔着绝缘膜与第一～第三半导体区域对置。连接区域位于第一电极与第一半导体区域之间，将...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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