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本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、半导体结构、栅介电层、突起结构以及栅极。第一源极/漏极位于基板之上。隔离结构位于第一源极/漏极上，且具有重叠于第一源极/漏极的第一通孔。第二源...
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