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本发明涉及一种芯片中间结构及芯片去除方法。所述芯片中间结构，包括：基底、多个发光二极管芯片以及图形化的全反射层。多个发光二极管芯片位于基底的第一侧。多个发光二极管芯片包括多个待去除芯片和多个需求芯片。图形化的全反射层位于基底的第二侧，第二侧...
该专利属于重庆康佳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电科技有限公司授权不得商用。

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