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本发明提供一种半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，包括：将晶片配置在处理室内的步骤；向所述处理室以高于大气压的第一压力供应源气体，随着进行氧化工艺和氮化工艺中的至少一种工艺，在所述晶片形成绝缘膜的步骤；向所述处理室供应吹扫气体来吹扫所述源气体...
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