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本申请公开了一种垂直型GaN器件及其制备方法，器件包括n型衬底、漏极、n型GaN外延层、电介质层，n型GaN外延层中包含从上向下延伸且间隔排布的第一p型GaN区域和第二p型GaN区域，第一p型GaN区域中包含第一n型GaN区域，第二p型Ga...
该专利属于深圳智芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳智芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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