温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种硅单晶的生长方法，包括如下步骤：将硅料放置在长晶炉内的坩埚中；对坩埚进行加热，使得坩埚内的硅料融为硅溶液，并确定坩埚内硅溶液的液面位置；利用磁场发生器向硅溶液施加超导磁场，并即时调整磁场发生器的位置，使得超导磁场的最强区域位于...
该专利属于江苏卓远半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏卓远半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。