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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构，包括：衬底；第一导电结构，位于所述衬底上；侧墙结构，位于所述衬底上，且所述侧墙结构覆盖于所述第一导电结构的侧壁上，所述侧墙结构包括第一介质层以及位于所述第一介质层内的第一掺杂离子，所述第...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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