温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种外延反应器重启方法及外延生长系统、外延硅晶圆,属于半导体制造技术领域。外延生长系统包括:外延反应器腔室;与所述外延反应器腔室连通的废气管路;水分测试仪,包括水分测试样气进气管路和水分测试样气出气管路;连接所述废气管路和所述水...该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种外延反应器重启方法及外延生长系统、外延硅晶圆,属于半导体制造技术领域。外延生长系统包括:外延反应器腔室;与所述外延反应器腔室连通的废气管路;水分测试仪,包括水分测试样气进气管路和水分测试样气出气管路;连接所述废气管路和所述水...