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本发明属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法。在室温下，以导热导电好的镉金属靶材和单质硫或硒源为原料，依次采用磁控溅射金属靶材、电阻加热蒸发硫或硒、磁控溅射金属靶材的方法在衬底上沉积得到前驱物薄膜，然后对前驱物退...
该专利属于武汉科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉科技大学授权不得商用。

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