温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供CMOS图像传感器及其形成方法，通过采用HDP工艺形成隔离材料层，所述隔离材料层填充浅沟槽以形成浅沟槽隔离结构，并且在所述有源区内进行离子注入工艺以形成源区或者漏区的步骤中，所述离子注入工艺对所述有源区界面产生损伤；增加热退火工艺...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。