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本发明提供一种高功率密度的TVS器件结构及相应的制造方法，该高功率密度TVS器件结构由两个或多个基本结构单元通过金属串联而成，所述基本结构单元由具有深沟槽形N+的硅基NPN结构和位于该硅基NPN结构上方的被隔离介质区隔开的两个或多个多晶硅N...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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