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本发明涉及制作方法技术领域，且公开了一种半导体器件制作方法，包括以下步骤：S1、分子束外延：使用高纯度的分子束，通过精确控制束流方向和速度，在晶体外延层上进行单原子层沉积，结合实时监测技术，确保掺杂均匀性和层厚的精确控制；S2、全硅集成电路...
该专利属于山东宝乘电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东宝乘电子有限公司授权不得商用。

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